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ZXMN6A09DN8TA详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 8.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24.2nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1407pF @ 40V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

ZXMN6A09DN8TA详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 8.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24.2nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1407pF @ 40V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP; 包装：带卷 (TR)

ZXMN6A09DN8TA详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 8.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24.2nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1407pF @ 40V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

ZXMN6A09DN8TC详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CHAN 60V 8SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 8.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24.2nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1407pF @ 40V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP; 包装：带卷 (TR)

ZXMN6A09GTA详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 8.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24.2nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1407pF @ 40V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：剪切带 (CT)

ZXMN6A09GTA详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 8.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24.2nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1407pF @ 40V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：带卷 (TR)

VJ1206Y121KBLAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 120PF 630V 10% X7R 1206
VI-B2M-EW
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 10V 100W
VI-B3Y-CV-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 99W
ZXMN6A09GTA
FET - 单 Diodes Inc TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223
TS2PCIE2212ZAHR
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Texas Instruments 48-LFBGA IC PCI-EXPRESS SIGNAL SW 48NFBGA
ZFX-S
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MONOCHROME C MOUNT CAMERA
VI-B3V-IY-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 50W
Y92F-76
配件 Omron Electronics Inc-IA Div PANEL ADAPTER VERT FOR H7 SER
VJ1206Y122JBRAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 1200PF 1.5KV 5% X7R 1206
TS2PCIE412RUAR
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Texas Instruments 42-WFQFN 裸露焊盘 IC PCIE MUX/DMUX 4CH 2:1 42-QFN
VI-B3Y-CW
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 66W
ZFX-S
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MONOCHROME C MOUNT CAMERA
Y92F-90
配件 Omron Electronics Inc-IA Div ADAPTER TRACK MOUNTING
VI-B3V-MU
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 200W
VJ1206Y122KBAAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 1200PF 50V 10% X7R 1206

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