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ZXMN3A04DN8TA详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 12.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36.8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1890pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

ZXMN3A04DN8TA详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 12.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36.8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1890pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

ZXMN3A04DN8TA详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 12.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36.8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1890pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP; 包装：带卷 (TR)

ZXMN3A04DN8TC详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 12.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36.8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1890pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP; 包装：带卷 (TR)

ZXMN3A04KTC详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 12A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36.8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1890pF @ 15V; 功率_最大：2.15W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252-3; 包装：Digi-Reel®

ZXMN3A04KTC详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 12A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36.8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1890pF @ 15V; 功率_最大：2.15W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252-3; 包装：剪切带 (CT)

VI-B1B-IY-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 50W
ZXMN3A04DN8TA
FET - 阵列 Diodes Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
XC9236A12CMR-G
PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Torex Semiconductor Ltd SC-74A，SOT-753 IC REG BUCK SYNC 1.2V .6A SOT-25
X-7001 X 6"
RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料 3M TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TAPE COPPER/POLY 6"X1FT
VI-JTP-IW-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 BusMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 100W
YC122-JR-071ML
网络、阵列 Yageo 0404（1010 公制），凸起 RES ARRAY 1M OHM 2 RES 0404
XMLHVW-Q2-0000-0000LS6E6
LED - 高亮度，电源 Cree Inc 2-SMD，无引线 LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE
XWB-01
AC/DC 模块可配置开关电源 Excelsys Technologies Ltd POWER CHASSIS 600W 6 SLOT
VI-B1B-MU-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 200W
YC122-JR-07220KL
网络、阵列 Yageo 0404（1010 公制），凸起 RES ARRAY 220K OHM 2 RES 0404
X79001V20I
数据采集 - 数模转换器 Intersil 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC DAC NV SELECT OUT/MEM 20TSSOP
VI-JTP-IW-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 BusMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 100W
VI-JWD-MX-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 75W
XWT-ID08
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SMART SLAVE EXP 8 NPN IN
XC9236A12DMR-G
PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Torex Semiconductor Ltd SC-74A，SOT-753 IC REG BUCK SYNC 1.2V .6A SOT-25

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