

ZXMC3A16DN8TA详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N+P 30V 5.4A 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A,4.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:796pF @ 25V
- 功率_最大:1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel®
ZXMC3A16DN8TA详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A,4.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:796pF @ 25V
- 功率_最大:1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOP
- 包装:带卷 (TR)
ZXMC3A16DN8TA详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N+P 30V 5.4A 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A,4.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:796pF @ 25V
- 功率_最大:1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
ZXMC3A16DN8TC详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A,4.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:796pF @ 25V
- 功率_最大:1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOP
- 包装:带卷 (TR)
ZXMC3A16DN8TC详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A,4.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:796pF @ 25V
- 功率_最大:1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
ZXMC3A16DN8TC详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A,4.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:796pF @ 25V
- 功率_最大:1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel®
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CAP REPLACMNT FOR M8 PROX SHIELD
- 专用 Omron Electronics Inc-IA Div 36-DFN 模块 ZG2 DATALOGGER UNIT NPN OUT
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 100W
- FET - 单 Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223
- 网络、阵列 Yageo 0804(2010 公制),凸起 RES ARRAY 62 OHM 4 RES 0804
- LED - 高亮度,电源 Cree Inc 2-SMD,无引线,裸露焊盘 LED XLAMP ROYAL BLUE
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 24V 100W
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CAP REPLACMNT FOR M8 PROX SHIELD
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 75W
- 网络、阵列 Yageo 0804(2010 公制),凸起 RES ARRAY 62 OHM 4 RES 0804
- LED - 高亮度,电源 Cree Inc 2-SMD,无引线,裸露焊盘 LED XLAMP ROYAL BLUE
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 24V 75W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CAP REPLACMNT FOR M8 PROX SHIELD