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ZXM64N035GTA详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：35V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 3.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：剪切带 (CT)

ZXM64N035GTA详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：35V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 3.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：Digi-Reel®

ZXM64N035GTA详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：35V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 3.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：带卷 (TR)

ZXM64N035L3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 35V 13A TO-220-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：35V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 3.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220-3; 包装：散装

ZXM64N03XTA详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 3.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 25V; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）; 供应商设备封装：8-MSOP; 包装：带卷 (TR)

ZXM64N03XTC详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CHAN 30V MSOP8; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 3.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 25V; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）; 供应商设备封装：8-MSOP; 包装：带卷 (TR)

WSL5931L5000FEA
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 5931 RES .0005 OHM 5W 1% 5931 SMD
Z8F0213HH005SC
嵌入式 - 微控制器， Zilog 20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC ENCORE MCU FLASH 2K 20SSOP
ZXM64N02XTA
FET - 单 Diodes Inc 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP
WHB5R0FET
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RES 5.0 OHM 1W 1% WW AXIAL
XC4008E-4PQ208I
嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） Xilinx Inc 208-BFQFP IC FPGA I-TEMP 5V 4SPD 208-PQFP
XPEBWT-L1-0000-00DE3
LED - 高亮度，电源 Cree Inc 2-SMD，无引线 XP-E2 AKA XPE GEN2
WSLP0603R0200FEB
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES .02 OHM 0.4W 1% 0603 SMD
XW2Z-100J-A13
其它 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE 1AXIS SMART STEP SERVO 1M
Z8F0213HJ005EG2156
嵌入式 - 微控制器， Zilog * IC ENCORE MCU 2K FLASH 28SSOP
XC4010-5PQ208C
嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） Xilinx Inc 208-BFQFP IC LOGIC CL ARRAY 10K GAT 208PQ
XPEBWT-L1-0000-00EA4
LED - 高亮度，电源 Cree Inc 2-SMD，无引线 XP-E2 AKA XPE GEN2
XW2Z-100J-A14
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SERVO RELAY UNIT CABLES 1M
WSLP0603R0220FEB
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES .022 OHM 0.4W 1% 0603 SMD
ZXM64P02XTA
FET - 单 Diodes Inc 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOP
Z8F0213PH005SC
嵌入式 - 微控制器， Zilog 20-DIP（0.300"，7.62mm） IC ENCORE MCU FLASH 2K 20DIP

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