

ZVP2106A详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:280mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:100pF @ 18V
- 功率_最大:700mW
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
ZVP2106AS详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CHAN 60V TO92-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:280mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:100pF @ 18V
- 功率_最大:700mW
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
ZVP2106ASTOA详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CHAN 60V TO92-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:280mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:100pF @ 18V
- 功率_最大:700mW
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带卷 (TR)
ZVP2106ASTOB详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CHAN 60V TO92-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:280mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:100pF @ 18V
- 功率_最大:700mW
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带卷 (TR)
ZVP2106ASTZ详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CHAN 60V TO92-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:280mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:100pF @ 18V
- 功率_最大:700mW
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
ZVP2106GTA详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:450mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:100pF @ 18V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:剪切带 (CT)
- 网络、阵列 Yageo 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 300 OHM 4 RES 1206
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC XDCP SGL 32-TAP 10K 8-MSOP
- 钽 Vishay Sprague 1411(3528 公制) CAP TANT 33UF 6.3V 20% 1411
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 100W
- FET - 单 Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET P-CHAN 60V TO92-3
- 嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列) Xilinx Inc 240-BFQFP IC FPGA 2.5V I-TEMP 240-PQFP
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 8-DIP(0.300",7.62mm) IC XDCP SGL 32-TAP 10K 8-DIP
- 网络、阵列 Yageo 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 30 OHM 4 RES 1206
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 50W
- 嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列) Xilinx Inc 432-LBGA,金属 IC FPGA 1.8V I-TEMP 432-MBGA
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 100W
- 网络、阵列 Yageo 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 30 OHM 4 RES 1206
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC XDCP SGL 32-TAP 10K 8-SOIC
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 50W