

ZVN4306GTA详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:330 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:剪切带 (CT)
ZVN4306GTA详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:330 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:Digi-Reel®
ZVN4306GTA详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:330 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:带卷 (TR)
ZVN4306GTC详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CHAN 60V SOT223
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:330 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:带卷 (TR)
ZVN4306GVTA详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:330 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:带卷 (TR)
ZVN4306GVTA详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:330 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:剪切带 (CT)
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 50W
- 嵌入式 - 微控制器, Zilog 80-BQFP IC ENCORE MCU FLASH 64K 80QFP
- FET - 单 Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CHAN 60V TO92-3
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 100W
- 其它 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR I/O CONNECTOR
- 陶瓷 Taiyo Yuden 0402(1005 公制) CAP CER 8.2PF 50V NP0 0402
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div HEAT SINK 1.01C/W 450G FOR G3PB
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 200W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 150W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 100W
- 其它 Omron Electronics Inc-EMC Div SENSOR I/O CONNECTOR
- 陶瓷 Taiyo Yuden 0402(1005 公制) CAP CER 4PF 50V C0H 0402
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div HEAT SINK 0.63DEGC/W FOR G3PB
- 评估演示板和套件 Zilog 32-VFQFN KIT DEV FOR Z8 ENCORE Z8FMC16100
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 200W