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ZVN4306A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：330 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：850mW; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

ZVN4306ASTOA详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CHAN 60V TO92-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：330 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：850mW; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带卷 (TR)

ZVN4306ASTOB详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CHAN 60V TO92-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：330 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：850mW; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带卷 (TR)

ZVN4306ASTZ详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CHAN 60V TO92-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：330 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：850mW; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带盒（TB）

ZVN4306AV详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：330 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：850mW; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

ZVN4306AVSTOA详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CHAN 60V TO92-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：330 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：850mW; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带卷 (TR)

VI-J7Z-CY-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 20W
T495D107K016AHE125
钽 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 100UF 16V 10% 2917
ZVN4306A
FET - 单 Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3 标准主体 MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
STM6718TZWY6F
PMIC - 监控器 STMicroelectronics SC-74A，SOT-753 IC SUPERVISOR DUAL/TRPL SOT23-5
VJ1825A821JBLAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1825（4564 公制） CAP CER 820PF 630V 5% NP0 1825
VI-J54-CW-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 BusMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 100W
SY10E452JY
逻辑 - 触发器 Micrel Inc 28-LCC（J 形引线） IC REGISTER 5BIT DIFF 28-PLCC
VI-J7Z-CY-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 20W
STS12NF30L
FET - 单 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
STM6719SVWB6F
PMIC - 监控器 STMicroelectronics SOT-23-6 IC SUPERVISOR DUAL/TRPL SOT23-6
VJ1825A821KBBAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1825（4564 公制） CAP CER 820PF 100V 10% NP0 1825
VI-J54-CW-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 100W
SY10EL05ZG
逻辑 - 栅极和逆变器 - 多功能，可配置 Micrel Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC GATE AND/NAND DIFF 2INP 8SOIC
STS13N3LLH5
FET - 单 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
VI-J7Z-CZ-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 10W

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