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ZVN2110A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：320mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 欧姆 @ 1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V; 功率_最大：700mW; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

ZVN2110ASTOA详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CHAN 100V TO92-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：320mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 欧姆 @ 1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V; 功率_最大：700mW; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带卷 (TR)

ZVN2110ASTOB详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CHAN 100V TO92-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：320mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 欧姆 @ 1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V; 功率_最大：700mW; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带卷 (TR)

ZVN2110ASTZ详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CHAN 100V TO92-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：320mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 欧姆 @ 1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V; 功率_最大：700mW; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带卷 (TR)

ZVN2110GTA详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：500mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 欧姆 @ 1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：Digi-Reel®

ZVN2110GTA详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：500mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 欧姆 @ 1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：剪切带 (CT)

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FET - 单 Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3 标准主体 MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
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快动，限位，拉杆 Omron Electronics Inc-IA Div SWITCH SPDT 15A HNGE ROLLR LEVER
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DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 100W
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嵌入式 - 微控制器 - 特定应用 Zilog 42-DIP（0.600"，15.24mm） IC Z8 DIG TV CTRL OTP 42-SDIP
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陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 220PF 50V 5% NP0 1210
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网络、阵列 Yageo 2512（6432 公制），凸起 RES ARRAY 100K OHM 8 RES 2512
Z-15HW24-B7-K
快动，限位，拉杆 Omron Electronics Inc-IA Div SWITCH SPDT 15A HINGE LEVER
Y92E-B18MT
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BLOCK MNT THREAD FOR BARREL PROX
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FET - 单 Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3 标准主体 MOSFET N-CHAN 200V TO92-3

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