ZTX855 全国供应商、价格、PDF资料

ZTX855详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 150V 4A MED TO-92-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：4A

电压_集电极发射极击穿（最大）：150V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：260mV @ 400mA，4A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1A，5V

功率_最大：1.2W

频率_转换：90MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体

供应商设备封装：TO-92-3

包装：散装

ZTX855STOA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN MED PWR TO92-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：4A

电压_集电极发射极击穿（最大）：150V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：260mV @ 400mA，4A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1A，5V

功率_最大：1.2W

频率_转换：90MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带卷 (TR)

ZTX855STOB详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN MED PWR TO92-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：4A

电压_集电极发射极击穿（最大）：150V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：260mV @ 400mA，4A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1A，5V

功率_最大：1.2W

频率_转换：90MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带卷 (TR)

ZTX855STZ详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN MED PWR TO92-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：4A

电压_集电极发射极击穿（最大）：150V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：260mV @ 400mA，4A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1A，5V

功率_最大：1.2W

频率_转换：90MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带盒（TB）