ZTX789A 全国供应商、价格、PDF资料

ZTX789A详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP 25V 3A TO-92

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：25V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，3A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 10mA，2V

功率_最大：1W

频率_转换：100MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体

供应商设备封装：TO-92-3

包装：散装

ZTX789ASTOA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP HI GAIN TO92-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：25V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，3A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 10mA，2V

功率_最大：1W

频率_转换：100MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带卷 (TR)

ZTX789ASTOB详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP HI GAIN TO92-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：25V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，3A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 10mA，2V

功率_最大：1W

频率_转换：100MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带卷 (TR)

ZTX789ASTZ详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP HI GAIN TO92-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：25V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，3A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 10mA，2V

功率_最大：1W

频率_转换：100MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带盒（TB）