ZTX1055A 全国供应商、价格、PDF资料

ZTX1055A详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 120V 3A MED TO-92-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：120V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：310mV @ 150mA，3A

电流_集电极截止（最大）：10nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 1A，10V

功率_最大：1W

频率_转换：130MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体

供应商设备封装：TO-92-3

包装：散装

ZTX1055ASTOA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN HIGH CURR TO92-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：120V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：310mV @ 150mA，3A

电流_集电极截止（最大）：10nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 1A，10V

功率_最大：1W

频率_转换：130MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带卷 (TR)

ZTX1055ASTOB详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN HIGH CURR TO92-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：120V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：310mV @ 150mA，3A

电流_集电极截止（最大）：10nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 1A，10V

功率_最大：1W

频率_转换：130MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带卷 (TR)

ZTX1055ASTZ详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN HIGH CURR TO92-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：120V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：310mV @ 150mA，3A

电流_集电极截止（最大）：10nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 1A，10V

功率_最大：1W

频率_转换：130MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带盒（TB）