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UMH4NTN详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

描述：TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT-363

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：10k

电阻器_发射极333R2444（欧）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 1mA，10mA

电流_集电极截止（最大）：-

频率_转换：250MHz

功率_最大：150mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商设备封装：UMT6

包装：Digi-Reel®

UMH4NTN详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

描述：TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT-363

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：10k

电阻器_发射极333R2444（欧）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 1mA，10mA

电流_集电极截止（最大）：-

频率_转换：250MHz

功率_最大：150mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商设备封装：UMT6

包装：剪切带 (CT)

UMH4NTN详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

描述：TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT-363

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：10k

电阻器_发射极333R2444（欧）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 1mA，10mA

电流_集电极截止（最大）：-

频率_转换：250MHz

功率_最大：150mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商设备封装：UMT6

包装：带卷 (TR)