UPA650TT-E1 全国供应商、价格、PDF资料
UPA650TT-E1-A详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 6-WSOF
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 2.5A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：610pF @ 10V
- 功率_最大：200mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-WSOF
- 供应商设备封装：6-WSOF
- 包装：带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 24.3 OHM 1/8W 0.1% 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0402（1005 公制） RES 4.02K OHM 1/16W 0.1% 0402
- FET - 单 Renesas Electronics America 8-HVSON MOSFET P-CH 30V MINI 8-HVSON
- 电路板衬垫，支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
- FET - 阵列 Renesas Electronics America SC-74，SOT-457 MOSFET DL N-CH 30V 100MA SC-74
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 340K OHM .40W 0.1% 2010
- 电容器 Nichicon 径向，Can CAP ALUM 0.47UF 250V 20% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0402（1005 公制） RES 4.32K OHM 1/16W 0.1% 0402
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 255K OHM 1/8W 0.1% 0805
- 电路板衬垫，支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
- FET - 单 Renesas Electronics America 6-WSOF MOSFET P-CH 20V 6-WSOF
- 电容器 Nichicon 径向，Can CAP ALUM 10UF 400V 20% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 255 OHM 1/8W 0.1% 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0402（1005 公制） RES 4.53K OHM 1/16W 0.1% 0402
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 340 OHM .40W 0.1% 2010
0755-82575207 
0755-83286799 
0755-83209630 
0755-83200050 
0755-89697985 
15813737183 
0755-83223003 
0755- 8255602 
0755-83015506 
0755-/8321846 
0755-83777708 
755-83252273 
17324435169 
0755-83798683 
15026993318 / 
