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UPA2757GR-E2-AT 全国供应商、价格、PDF资料

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UPA2757GR-E2-AT详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-PSOP; 包装：带卷 (TR)

UPA2757GR-E2-AT供应商

UPA2757GR-E2-AT 北京元坤国际科技有限公司 010-62962871、
UPA2757GR-E2-AT 深圳市华美锐科技有限公司 0755-83035139

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UPA2719AGR-E2-AT
FET - 单 Renesas Electronics America 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
TO-207-070H
电路板衬垫，支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
UPA2756GR-E2-AT
FET - 阵列 Renesas Electronics America 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC
TNPW2010332KBETF
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 332K OHM .40W 0.1% 2010
TO-207-090E
电路板衬垫，支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
UVZ2E331MRH
电容器 Nichicon 径向，Can CAP ALUM 330UF 250V 20% RADIAL
TNPW080524R0BETA
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 24.0 OHM 1/8W 0.1% 0805
TNPW040249R9BEED
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0402（1005 公制） RES 49.9 OHM 1/16W 0.1% 0402
UPA2757GR-E1-AT
FET - 阵列 Renesas Electronics America 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
TNPW201033K0BEEY
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 33.0K OHM .40W 0.1% 2010
UVZ2E471MRD
电容器 Nichicon 径向，Can CAP ALUM 470UF 250V 20% RADIAL
TO-21-130E
电路板衬垫，支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
TNPW080524R3BETA
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 24.3 OHM 1/8W 0.1% 0805
TNPW04024K02BETD
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0402（1005 公制） RES 4.02K OHM 1/16W 0.1% 0402
UPA2810T1L-E1-AY
FET - 单 Renesas Electronics America 8-HVSON MOSFET P-CH 30V MINI 8-HVSON

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