

UNR9215G0L详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN W/RES 160HFE SSMINI 3P
- 系列:-
- 制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:150MHz
- 功率_最大:125mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-89,SOT-490
- 供应商设备封装:SS迷你型3-F3
- 包装:剪切带 (CT)
UNR9215G0L详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN W/RES 160HFE SSMINI 3P
- 系列:-
- 制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:150MHz
- 功率_最大:125mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-89,SOT-490
- 供应商设备封装:SS迷你型3-F3
- 包装:Digi-Reel®
UNR9215G0L详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN W/RES 160HFE SSMINI 3P
- 系列:-
- 制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:150MHz
- 功率_最大:125mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-89,SOT-490
- 供应商设备封装:SS迷你型3-F3
- 包装:带卷 (TR)
UNR9215J0L详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN W/RES 160HFE SSMINI 3P
- 系列:-
- 制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:150MHz
- 功率_最大:125mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-89,SOT-490
- 供应商设备封装:SS迷你型3-F1
- 包装:Digi-Reel®
UNR9215J0L详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN W/RES 160HFE SSMINI 3P
- 系列:-
- 制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:150MHz
- 功率_最大:125mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-89,SOT-490
- 供应商设备封装:SS迷你型3-F1
- 包装:带卷 (TR)
UNR9215J0L详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN W/RES 160HFE SSMINI 3P
- 系列:-
- 制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:150MHz
- 功率_最大:125mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-89,SOT-490
- 供应商设备封装:SS迷你型3-F1
- 包装:剪切带 (CT)
- 电容器 Nichicon 径向,Can CAP ALUM 3.3UF 50V 20% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206(3216 公制) RES 27.0 OHM 1/4W 0.1% 1206
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SC-89,SOT-490 TRANS NPN W/RES 80 HFE SSMINI 3P
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SOT-723 TRANS NPN W/RES 160HFE SSSMINI3P
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206(3216 公制) RES 27.0 OHM 1/4W 0.1% 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0402(1005 公制) RES 13.3K OHM 1/16W 0.1% 0402
- 电容器 Nichicon 径向,Can CAP ALUM 1000UF 63V 20% RADIAL
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 68UF 10V 20% 2917
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SOT-723 TRANS NPN W/RES 160HFE SSSMINI3P
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SOT-723 TRANS NPN W/RES 160HFE SSSMINI3P
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206(3216 公制) RES 28.7K OHM 1/4W 0.1% 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0402(1005 公制) RES 140 OHM 1/16W 0.1% 0402
- 电容器 Nichicon 径向,Can CAP ALUM 2200UF 63V 20% RADIAL
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 68UF 16V 20% 2917
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SC-89,SOT-490 TRANS NPN W/RES 160HFE SSMINI 3P