UMD22NTR详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS DGTL DUAL 50V UMT6
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：UMT6
- 包装：剪切带 (CT)
UMD22NTR详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS DGTL DUAL 50V UMT6
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：UMT6
- 包装：Digi-Reel®
UMD22NTR详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS DGTL DUAL 50V UMT6
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：UMT6
- 包装：带卷 (TR)
UMD2NTR详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN/PNP 50V 30MA SOT-363
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：22k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：UMT6
- 包装：剪切带 (CT)
UMD2NTR详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN/PNP 50V 30MA SOT-363
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：22k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：UMT6
- 包装：带卷 (TR)
UMD2NTR详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN/PNP 50V 30MA SOT-363
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：22k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：250MHz
- 功率_最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：UMT6
- 包装：Digi-Reel®
- 连接器，互连器件 ITT Cannon 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CONN 4POS FEMALE RCPT STR
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SOT-723 TRANS NPN W/RES 160HFE SSSMINI3P
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG LDO NEG ADJ .5A 8SOIC
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 Rohm Semiconductor 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 TRANS DGTL DUAL 50V UMT6
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 50W
- 三端双向可控硅开关 STMicroelectronics TO-202 TRIAC 4A 25MA 800V TO202-3
- 振荡器 Pericom 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 26MHZ 1.8V SMD
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 200W
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SOT-723 TRANS NPN W/RES 160HFE SSSMINI3P
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG LDO -12V .5A 8SOIC
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 200W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 50W
- 电容器 Nichicon 径向，Can CAP ALUM 22UF 6.3V 20% RADIAL
- 铁氧体磁珠和芯片 Kemet 0603（1608 公制） FERR BEAD 100 OHM 1.7A 0603 SMD
- 适配器 Microchip Technology 4-SMD，无引线（DFN，LCC） SOCKET TRAN ICE 6SOT W/CABLE
0755-82569753 
0755-23612326 
13717008271 
0755-23613962 
13424184668 
0755-82574045 
0755-83202411 
0755-82525087 
0755-82561519 
021-51872165/ 
0755-83051566 
18926544209/1 
0512-67241533 
0755-82561519 
18927479189 
