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UGB18BCT-E3/81详细规格: 类别：二极管，整流器 - 阵列; 描述：DIODE 18A 100V 20NS DUAL UF; 系列：-; 制造商：Vishay General Semiconductor; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.1V @ 9A; 电流_在Vr时反向漏电：10µA @ 100V; 电流_平均整流333Io444（每个二极管）：18A; 电压_333Vr444（最大）：100V; 反向恢复时间333trr444：30ns; 二极管类型：标准; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 二极管配置：1 对共阴极; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263AB; 包装：带卷 (TR)

UGB18BCTHE3/45详细规格: 类别：二极管，整流器 - 阵列; 描述：DIODE 18A 100V 20NS DUAL UF; 系列：-; 制造商：Vishay General Semiconductor; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.1V @ 9A; 电流_在Vr时反向漏电：10µA @ 100V; 电流_平均整流333Io444（每个二极管）：18A; 电压_333Vr444（最大）：100V; 反向恢复时间333trr444：30ns; 二极管类型：标准; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 二极管配置：1 对共阴极; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263AB; 包装：管件

UGB18BCTHE3/81详细规格: 类别：二极管，整流器 - 阵列; 描述：DIODE 18A 100V 20NS DUAL UF; 系列：-; 制造商：Vishay General Semiconductor; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.1V @ 9A; 电流_在Vr时反向漏电：10µA @ 100V; 电流_平均整流333Io444（每个二极管）：18A; 电压_333Vr444（最大）：100V; 反向恢复时间333trr444：30ns; 二极管类型：标准; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 二极管配置：1 对共阴极; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263AB; 包装：带卷 (TR)

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