TPS1120D的供应信息|PDF资料|求购TPS1120D上51电子网

TPS1120D详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Texas Instruments; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：15V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.45nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：840mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC; 包装：管件

TPS1120DG4详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Texas Instruments; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：15V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.45nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：840mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC; 包装：管件

TPS1120DR详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Texas Instruments; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：15V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.45nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：840mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC; 包装：剪切带 (CT)

TPS1120DR详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Texas Instruments; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：15V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.45nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：840mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC; 包装：带卷 (TR)

TPS1120DR详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Texas Instruments; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：15V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.45nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：840mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC; 包装：Digi-Reel®

TPS1120DRG4详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Texas Instruments; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：15V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.45nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：840mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC; 包装：带卷 (TR)

TPS-10
保险丝 - 电气，特制 Cooper Bussmann 盒，非标准 FUSE TELPOWER 10A 170VDC
TRR01MZPF1502
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0402（1005 公制） RES 15.0K OHM 1/16W 1% 0402 SMD
TAC475K050P06
钽 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 轴向 CAP TANT 4.7UF 50V 10% AXIAL
TRR01MZPF15R0
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0402（1005 公制） RES 15.0 OHM 1/16W 1% 0402 SMD
TPS1100PWRG4
FET - 单 Texas Instruments 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP
SU3000RTXR3U
UPS系统 Tripp Lite UPS 3KVA 2400W 9OUT RACK MOUNT
TA35-CZZ11
配件 Schurter Inc COVER AND COLLAR 1POLE IP65
TACA107M004XTA
钽 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP TANT 100UF 4V 20% 1206
TRR01MZPJ100
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0402（1005 公制） RES 10 OHM 1/16W 5% 0402 SMD
SU30KMBP
箱 Tripp Lite BREAKER BOX BYPASS FOR SU30K3/3
TA35-CZZ21
配件 Schurter Inc COVER AND COLLAR 2POLE IP65
TACA476M006RTA
钽 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP TANT 47UF 6.3V 20% 1206
TRR01MZPJ245
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0402（1005 公制） RES 2.40M OHM 1/16W 5% 0402 SMD
TPS2000CDGNR
PMIC - 电源分配开关 Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘 IC PWR SW USB 2.87A 1CH 8MSOP
SUB16396
RF配件 Laird Technologies IAS ACCY SUB MISC SHOCK SPRING

TPS1120D 全国供应商、价格、PDF资料