TPCS8210(TE12L,Q)详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 5A 8TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 4A,4V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1280pF @ 10V
- 功率_最大:600mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
TPCS8210(TE12L,Q,M详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 5A 8TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 4A,4V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1280pF @ 10V
- 功率_最大:600mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1210(3225 公制) RES 56.2K OHM 1/3W 0.1% 1210
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
- 按钮 APEM Components, LLC 非标准 SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V
- TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AC,SMA TVS BI-DIR 90V 400W SMA
- FET - 阵列 Toshiba 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 20V 5A 8TSSOP
- 共模扼流圈 Taiyo Yuden 垂直式,4 PC 引脚 CHOKE COMMON MODE 68000UH
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 IC VREF SHUNT PREC ADJ SC-70-6
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1210(3225 公制) RES 56.0 OHM 1/3W 0.1% 1210
- 按钮 APEM Components, LLC 非标准 SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V
- 共模扼流圈 Taiyo Yuden 垂直式,4 PC 引脚 CHOKE COMMON MODE 2000UH
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 IC VREF SHUNT PREC ADJ SC-70-6
- 按钮 APEM Components, LLC 非标准 SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1210(3225 公制) RES 576 OHM 1/3W 0.1% 1210
- UPS系统 Tripp Lite DO-214AC,SMA UPS 2200VA 1700W 6OUT W/SOFTWARE
- FET - 阵列 Toshiba 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 20V 5A 8TSSOP