TPCM8001-H 全国供应商、价格、PDF资料
TPCM8001-H(TE12L,Q详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8-TSSOPA
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1130pF @ 10V
- 功率_最大:30W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerWDFN
- 供应商设备封装:2-4L1A
- 包装:Digi-Reel®
TPCM8001-H(TE12L,Q详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8-TSSOPA
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1130pF @ 10V
- 功率_最大:30W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerWDFN
- 供应商设备封装:2-4L1A
- 包装:剪切带 (CT)
TPCM8001-H(TE12L,Q详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8-TSSOPA
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1130pF @ 10V
- 功率_最大:30W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerWDFN
- 供应商设备封装:2-4L1A
- 包装:带卷 (TR)
- 磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) Melexis Technologies NV TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC HALL EFFECT SWITCH TSOT-3L
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 12.0K OHM .40W 0.1% 2010
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 36K OHM 1/2W 1% 2512
- 共模扼流圈 Acme Electric/Amveco/Actown 垂直式,4 PC 引脚 CHOKE COMMON TOROIDAL 3.27MH 10A
- 陶瓷 AVX Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 10000PF 6.3V 20% 0402
- 磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) Melexis Technologies NV TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC HALL EFFECT SWITCH TSOT-23
- 钽 AVX Corporation 0805(2012 公制) CAP TANT 47UF 6.3V 20% 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 374K OHM 1/2W 0.1% 2512
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 12.4K OHM .40W 0.1% 2010
- 陶瓷 AVX Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 10000PF 16V 20% X5R 0402
- 钽 AVX Corporation 1210(3528 公制) CAP TANT 100UF 4V 20% 1210
- 磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) Melexis Technologies NV TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC HALL EFFECT SW TSOT-23
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 38.3K OHM 1/2W 0.1% 2512
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 12.7K OHM .40W 0.1% 2010
- 磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) Melexis Technologies NV IC HALL EFFECT SW UNIPO TO-92