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TPCF8B01(TE85L)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 1.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：VS-8（2.9x1.9）; 包装：剪切带 (CT)

TPCF8B01(TE85L)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 1.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：VS-8（2.9x1.9）; 包装：带卷 (TR)

TPCF8B01(TE85L,F,M详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 1.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：VS-8（2.9x1.9）; 包装：带卷 (TR)

TPCF8B01(TE85L,F,M详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH SBD 20V 2.7A VS-8; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 1.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：VS-8（2.9x1.9）; 包装：带卷 (TR)

TPCF8B01(TE85L,F,M详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 1.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：VS-8（2.9x1.9）; 包装：Digi-Reel®

TPCF8B01(TE85L,F,M详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 1.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：VS-8（2.9x1.9）; 包装：剪切带 (CT)

V24A48T300BG3
DC DC Converters Vicor Corporation 模块 CONVERTER MOD DC/DC 48V 300W
UP1B-1R0-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR POWER 1UH 4.4A SMD
TL432AIDBZR
PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
TC74VHC32FN(ELP)
逻辑 - 栅极和逆变器 Toshiba 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC GATE OR QUAD 2INP 14-SOL
UP1B-220-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR POWER 22UH 1A SMD
TB-6.000MBD-T
振荡器 TXC CORPORATION 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC MEMS 6.000 MHZ 3.3V SMD
V24A48T300BL
DC DC Converters Vicor Corporation 模块 CONVERTER MOD DC/DC 48V 300W
UP1B-2R2-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR POWER 2.2UH 3.1A SMD
TL432AIDBZR
PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
UP1B-331-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR POWER 330UH 0.28A SMD
TPCL106K006R4000
钽 AVX Corporation 0603（1608 公制） CAP TANT 10UF 6.3V 10% 0603
V24A48T300BL2
DC DC Converters Vicor Corporation 模块 CONVERTER MOD DC/DC 48V 300W
TB-6.000MCE-T
振荡器 TXC CORPORATION 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC MEMS 6.000 MHZ 2.5V SMD
UP1B-680-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR POWER 68UH 0.58A SMD
TC74VHC374FW(ELP)
逻辑 - 触发器 Toshiba 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC FLIP-FLOP OCTAL D-TYPE 20-SOL

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