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TPCF8402(TE85L) 全国供应商、价格、PDF资料

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TPCF8402(TE85L)详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 3.2A VS-8; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 10V; 功率_最大：530mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：VS-8（2.9x1.9）; 包装：带卷 (TR)

TPCF8402(TE85L)详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N+P 30V 3.2A VS-8; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 10V; 功率_最大：530mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：VS-8（2.9x1.9）; 包装：剪切带 (CT)

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