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TPC8A01(TE12L)详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A，8.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP（5.5x6.0）; 包装：Digi-Reel®

TPC8A01(TE12L)详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A，8.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP（5.5x6.0）; 包装：带卷 (TR)

TPC8A01(TE12L)详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A，8.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP（5.5x6.0）; 包装：剪切带 (CT)

TPC8A01(TE12L,Q)详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A，8.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP（5.5x6.0）; 包装：剪切带 (CT)

TPC8A01(TE12L,Q)详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A，8.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP（5.5x6.0）; 包装：带卷 (TR)

TPC8A01(TE12L,Q)详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A，8.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP（5.5x6.0）; 包装：Digi-Reel®

TPC8407,LQ(S
FET - 阵列 Toshiba 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N/P-CH 30V 8SOP
TC2030-DEMO-BAREBOARD
配件 Tag-Connect LLC SC-74A，SOT-753 BOARD DEMO TC2030 PCB UNPOPULTD
TNPW120648R7BETA
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 48.7 OHM 1/4W 0.1% 1206
TPC8408,LQ(S
FET - 阵列 Toshiba 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N/P-CH 40V 8SOP
TO103J2KRA
热敏电阻 - NTC US Sensor TO-220-2 THERMISTOR NTC 10KOHM 10% TO-220
TC2030-MCP
配件 Microchip Technology SC-74A，SOT-753 CABLE TAG-CONNECT IN-CIRCUIT LEG
TNPW2010200KBEEF
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 200K OHM .40W 0.1% 2010
TNPW120649K9BEEN
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 49.9K OHM 1/4W 0.1% 1206
TO-11-040H
电路板衬垫，支座 Bivar Inc TO-220-2 SPACER WASHAWAY
TO-11-050XH
电路板衬垫，支座 Bivar Inc TO-220-2 SPACER WASHAWAY
TC2030-MCP-10
配件 Tag-Connect LLC SC-74A，SOT-753 CABLE IN-CIRCUIT 10" W/LEGS
TPC8A02-H(TE12L,Q)
FET - 单 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET N-CH SBD 16A SOP8 2-6J1B
TNPW2010200KBETF
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 200K OHM .40W 0.1% 2010
TO-116-030H
电路板衬垫，支座 Bivar Inc TO-220-2 SPACER WASHAWAY
TNPW12064K42BETA
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 4.42K OHM 1/4W 0.1% 1206

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