TPC8117(TE12L,Q)详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫欧 @ 9A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4600pF @ 10V
- 功率_最大：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOP（5.5x6.0）
- 包装：带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.20K OHM 1/2W 0.1% 2512
- FET - 单 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
- 电容器 Nichicon 径向，Can CAP ALUM 100UF 10V 20% RADIAL
- FET - 单 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
- 温度探头 US Sensor 径向，Can THERMISTOR NTC 10K 1% PIPE PROBE
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.20K OHM 1/2W 0.1% 2512
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 7.50K OHM 1/3W 0.1% 1210
- 电容器 Nichicon 径向，Can CAP ALUM 220UF 10V 20% RADIAL
- FET - 单 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH SNGL -30V -10A SOP-8
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.21K OHM 1/2W 0.1% 2512
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 7.87K OHM 1/3W 0.1% 1210
- 其它 B&B Electronics - CONVERTER USB TO RS-422/485
- 电容器 Nichicon 径向，Can CAP ALUM 4700UF 10V 20% RADIAL
- FET - 单 Toshiba 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP
- 电容器 Nichicon 径向，Can CAP ALUM 6800UF 10V 20% RADIAL
0755-82561519 
0755-82542579 
0512-67241533 
075582788161 
18823461028 
13528893675 
0755-82533156 
0755-82561519 
0755-83514939 
13510131896 
0755-88917652 
0755- 8251939 
15112667855 
0755-82563615 
0755-89697985 
0755-88291559 
