TPC8031-H(TE12L,Q)详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.3 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 10V
- 功率_最大:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOP(5.5x6.0)
- 包装:带卷 (TR)
TPC8031-H(TE12LQM)详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.3 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 10V
- 功率_最大:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOP(5.5x6.0)
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1210(3225 公制) RES 73.2K OHM 1/3W 0.1% 1210
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 2.05K OHM 1/2W 0.1% 2512
- 配件 Vicor Corporation 8-DIP 模块,1/4 砖 URAM OUTPUT ATTENUATION MODULE
- FET - 单 Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
- 钽 Vishay Sprague 2910(7227 公制) CAP TANT 10UF 25V 20% 2910
- 热缩管 TE Connectivity 8-DIP 模块,1/4 砖 MOLDED SHRINK HOOP
- FET - 单 Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1210(3225 公制) RES 750 OHM 1/3W 0.1% 1210
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 2.10K OHM 1/2W 0.1% 2512
- 钽 Vishay Sprague 2910(7227 公制) CAP TANT 10UF 25V 20% 2910
- 电容器 Nichicon 径向,Can CAP ALUM 2200UF 6.3V 20% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1210(3225 公制) RES 78.7 OHM 1/3W 0.1% 1210
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 2.20K OHM 1/2W 0.1% 2512
- FET - 单 Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
- 电容器 Nichicon 径向,Can CAP ALUM 100UF 10V 20% RADIAL