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TPC8018-H(TE12L)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2265pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP（5.5x6.0）; 包装：剪切带 (CT)

TPC8018-H(TE12L)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2265pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP（5.5x6.0）; 包装：带卷 (TR)

TPC8018-H(TE12L)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2265pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP（5.5x6.0）; 包装：Digi-Reel®

TPC8018-H(TE12L,Q)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2265pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP（5.5x6.0）; 包装：剪切带 (CT)

TPC8018-H(TE12L,Q)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2265pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP（5.5x6.0）; 包装：Digi-Reel®

TPC8018-H(TE12L,Q)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2265pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP（5.5x6.0）; 包装：带卷 (TR)

TPS73230DCQRG4
PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments SOT-223-6 IC REG LDO 3V .25A SOT223-6
TPC8017-H(TE12L)
FET - 单 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOP
T95V225M025CZAL
钽 Vishay Sprague 1410（3727 公制） CAP TANT 2.2UF 25V 20% 1410
TPS75233QPWP
PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘 IC REG LDO 3.3V 2A 20-HTSSOP
TPS73233DBVR
PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 3.3V .25A SOT23-5
TRF371109IRGZT
RF 解调器 Texas Instruments 48-VFQFN 裸露焊盘 IC IQ DEMODULATOR 48VQFN
TPC8018-H(TE12L,Q)
FET - 单 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
T95V225M025EZAL
钽 Vishay Sprague 1410（3727 公制） CAP TANT 2.2UF 25V 20% 1410
TPS75233QPWPR
PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘 IC REG LDO 3.3V 2A 20-HTSSOP
T95V225M025HSAL
钽 Vishay Sprague 1410（3727 公制） CAP TANT 2.2UF 25V 20% 1410
TRF371109IRGZT
RF 解调器 Texas Instruments 48-VFQFN 裸露焊盘 IC IQ DEMODULATOR 48VQFN
TPS73250DCQ
PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments SOT-223-6 IC REG LDO 5V .25A SOT223-6
TPC8018-H(TE12LQM)
FET - 单 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
T95V225M025HZSL
钽 Vishay Sprague 1410（3727 公制） CAP TANT 2.2UF 25V 20% 1410
TPS75233QPWPREP
PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘 IC REG LDO 3.3V 2A 20HTSSOP

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