TPC6101(TE85L)详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 4.5A VS-6
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 2.2A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 10V
- 功率_最大：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商设备封装：VS-6（2.9x2.8）
- 包装：剪切带 (CT)
TPC6101(TE85L)详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 4.5A VS-6
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 2.2A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 10V
- 功率_最大：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商设备封装：VS-6（2.9x2.8）
- 包装：Digi-Reel®
TPC6101(TE85L)详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 4.5A VS-6
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 2.2A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 10V
- 功率_最大：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商设备封装：VS-6（2.9x2.8）
- 包装：带卷 (TR)
TPC6101(TE85L,F)详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH SNGL -20V -4.5A VS-6
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 2.2A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 10V
- 功率_最大：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商设备封装：VS-6（2.9x2.8）
- 包装：剪切带 (CT)
TPC6101(TE85L,F)详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH SGL -20V -4.5A VS-6
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 2.2A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 10V
- 功率_最大：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商设备封装：VS-6（2.9x2.8）
- 包装：带卷 (TR)
- PMIC - 稳压器 - 线性 Infineon Technologies TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA IC REG LDO 5V .45A TO263-5
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 301K OHM 1/3W 0.1% 1210
- PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 Power Integrations 8-SMD（7 个接脚），鸥形翼 IC OFFLINE SWIT OVP UVLO HV 8SMD
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 2.5V SOT-23-3
- FET - 单 Toshiba SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
- 晶体 NDK 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CRYSTAL 16.0MHZ 10PF SMD
- PMIC - 稳压器 - 线性 Infineon Technologies TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD IC REG LDO ADJ .4A TO252-5
- PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 Power Integrations TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB IC OFFLINE SWIT UVLO HV D2PAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 309K OHM 1/3W 0.1% 1210
- 晶体 NDK 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CRYSTAL 16.0MHZ 10PF SMD
- PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 Power Integrations TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB IC OFFLINE SWIT UVLO HV D2PAK
- PMIC - 稳压器 - 线性 Infineon Technologies TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD IC REG LDO ADJ .4A TO252-5
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 30.0K OHM 1/3W 0.1% 1210
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC VREF SHUNT PREC 4.096V SC70-5
- FET - 单 Toshiba SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-6
0755-83226745 
13510131896 
0755-82569753 
19166203057 
0755-82542579 
0512-67241533 
010-62962871、 
0755-83244680 
0755-23612326 
0755-82723761 
13410941925 
0755-82533156 
0755-82561519 
0755-83663430 
0755-88917652 
