TN6714A 全国供应商、价格、PDF资料

TN6714A详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS GP NPN 30V 2A TO-226

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 1A，1V

功率_最大：1W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 长体

供应商设备封装：TO-226

包装：散装

TN6714A_D26Z详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS BIPO GPA NPN 30V 2A TO-226

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 1A，1V

功率_最大：1W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-226

包装：带卷 (TR)

TN6714A_D27Z详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS BIPO GPA NPN 30V 2A TO-226

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 1A，1V

功率_最大：1W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-226

包装：带卷 (TR)