TK100E06N1,S1X详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N CH 60V 100A TO-220
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.3 毫欧 @ 50A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：10500pF @ 30V
- 功率_最大：255W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220-3
- 包装：管件
TK100E08N1,S1X详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N CH 80V 214A TO220
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：80V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：214A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.2 毫欧 @ 50A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA，10V
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：9000pF @ 40V
- 功率_最大：255W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220-3
- 包装：管件
TK100E10N1,S1X详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N CH 100V 207A TO220
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：207A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.4 毫欧 @ 50A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA，10V
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：8800pF @ 50V
- 功率_最大：255W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220-3
- 包装：管件
TK100F04K3(TE24L,Q详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 100A TO-220SM
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫欧 @ 50A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：102nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4500pF @ 10V
- 功率_最大：180W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-220SM（W）
- 包装：剪切带 (CT)
TK100F04K3(TE24L,Q详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 100A TO-220SM
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫欧 @ 50A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：102nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4500pF @ 10V
- 功率_最大：180W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-220SM（W）
- 包装：带卷 (TR)
TK100F04K3(TE24L,Q详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 100A TO-220SM
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫欧 @ 50A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：102nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4500pF @ 10V
- 功率_最大：180W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-220SM（W）
- 包装：Digi-Reel®
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP R-R 500KHZ 14SOIC
- 馈通式电容器 AVX Corporation 0805（2012 公制），4 PC 板 CAP FEEDTHRU 470PF 100V NP0 0805
- FET - 单 Toshiba TO-220-3 MOSFET N CH 60V 100A TO-220
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5V 75W
- 过时/停产零件编号 Atmel KIT DEMO U2745B/U3745BM 433MHZ
- 板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 JAE Electronics 径向 CONN PLUG 0.4MM 24POS DUAL SMD
- PMIC - LED 驱动器 Texas Instruments 24-VFQFN 裸露焊盘 IC LED DRIVER CONST CURR 24VQFN
- 扎带 Richco Plastic Co 模块 WIRE TIE 10.75" 60
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC OPAMP GP R-R 500KHZ 14TSSOP
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5V 75W
- 板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 JAE Electronics 径向 CONN PLUG 0.4MM 24POS DUAL SMD
- 扎带 - 支座和安装 Panduit Corp TIE MNT,#10 HOLE
- 扎带 Richco Plastic Co 模块 WIRE TIE 10.75" BLK MS-3367-7-9
- PMIC - LED 驱动器 Texas Instruments 24-VFQFN 裸露焊盘 IC LED DVR CONST CURR 24VQFN
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC OPAMP GP R-R 500KHZ 14TSSOP
0755-83202411 
13410941925 
0755-83242658 
0755-82561519 
0755-88917652 
0755-82524712 
0755-82574045 
0755-82522939 
19166203057 
0755-23140719 
0755-84507209 
0755-82533534 
0512-67241533 
0755-83587431 
0755-82561519 
0755-23991909 
