TIS97 全国供应商、价格、PDF资料

TIS97详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS GP NPN 40V 500MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：500mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：-

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 100µA，5V

功率_最大：625mW

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体

供应商设备封装：TO-92-3

包装：散装

TIS97_D26Z详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS BIPO GPA NPN 40V 500MA TO-

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：500mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：-

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 100µA，5V

功率_最大：625mW

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带卷 (TR)

TIS97_D74Z详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS BIPO GPA NPN 40V 500MA TO-

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：500mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：-

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 100µA，5V

功率_最大：625mW

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带盒（TB）

TIS97_J35Z详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS BIPO GPA NPN 40V 500MA TO-

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：500mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：-

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 100µA，5V

功率_最大：625mW

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体

供应商设备封装：TO-92-3

包装：散装