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TC55VBM416AFTN55详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 16MBIT 55NS 48TSOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM; 存储容量：16M (1M x 16); 速度：55ns; 接口：并联; 电压_电源：2.3 V ~ 3.6 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）; 供应商器件封装：48-TSOP; 包装：托盘

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FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SOIC
TA45-ABCBPC00C0-AZM03
断路器 Schurter Inc CIR BRKR THRM ROCKER 240VAC
T97F336M050CZS
钽 Vishay Sprague 3024（7660 公制） CAP TANT 33UF 50V 20% 3024
SR301A103FAAH
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 10000PF 100V 1% RADIAL
SLI-343Y8C3F
LED - 分立式 Rohm Semiconductor 径向 LED 3.1MM 593NM YLW TRANSPARENT
SI7172DP-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 200V 25A PPAK 8SOIC
TA45-ABCWKC00E4
断路器 Schurter Inc CIR BRKR THRM ROCKER 240VAC
TNPW060386K6BEEN
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 86.6K OHM 1/10W 0.1% 0603