TC55 全国供应商、价格、PDF资料

TC55详细规格

类别：电容器

描述：CAP ALUM 20UF 250V AXIAL

系列：TC

制造商：Cornell Dubilier Electronics (CDE)

电容：20µF

额定电压：250V

容差：-10%，+50%

寿命0a0温度：85°C 时为 1000 小时

工作温度：-40°C ~ 85°C

特点：通用

纹波电流：345mA

ESR（等效串联电阻）：6.13 欧姆

阻抗：-

安装类型：通孔

封装/外壳：轴向，CAN

尺寸/尺寸：0.750" 直径 x 1.125" L（19.05mm x 28.58mm）

高度_座高（最大）：-

引线间隔：-

表面贴装占地面积：-

包装：散装

TC554001AF-70详细规格

类别：存储器

描述：IC SRAM 4MBIT 70NS 32SOIC

系列：-

制造商：Toshiba

格式_存储器：RAM

存储器类型：SRAM

存储容量：4M (512K x 8)

速度：70ns

接口：并联

电压_电源：4.5 V ~ 5.5 V

工作温度：0°C ~ 70°C

封装/外壳：32-SOIC（0.421"，10.70mm 宽）

供应商器件封装：32-SOP

包装：管件

TC554001AF-70LEL详细规格

类别：存储器

描述：IC SRAM 4MBIT 70NS 32SOP

系列：-

制造商：Toshiba

格式_存储器：RAM

存储器类型：SRAM

存储容量：4M (512K x 8)

速度：70ns

接口：并联

电压_电源：4.5 V ~ 5.5 V

工作温度：0°C ~ 70°C

封装/外壳：32-SOIC（0.421"，10.70mm 宽）

供应商器件封装：32-SOP

包装：管件

TC554001AFT-70L详细规格

类别：存储器

描述：IC SRAM 4MBIT 70NS 32TSOP

系列：-

制造商：Toshiba

格式_存储器：RAM

存储器类型：SRAM

存储容量：4M (512K x 8)

速度：70ns

接口：并联

电压_电源：4.5 V ~ 5.5 V

工作温度：0°C ~ 70°C

封装/外壳：32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽）

供应商器件封装：32-TSOP II

包装：托盘

TC55NEM208AFGN55LA详细规格

类别：存储器

描述：IC SRAM 4MBIT 55NS 32SOP

系列：-

制造商：Toshiba

格式_存储器：RAM

存储器类型：SRAM

存储容量：4M (512K x 8)

速度：55ns

接口：并联

电压_电源：4.5 V ~ 5.5 V

工作温度：-40°C ~ 85°C

封装/外壳：32-SOIC（0.421"，10.70mm 宽）

供应商器件封装：32-SOP

包装：管件

TC55NEM208AFGN70LA详细规格

类别：存储器

描述：IC SRAM 4MBIT 70NS 32SOP

系列：-

制造商：Toshiba

格式_存储器：RAM

存储器类型：SRAM

存储容量：4M (512K x 8)

速度：70ns

接口：并联

电压_电源：4.5 V ~ 5.5 V

工作温度：-40°C ~ 85°C

封装/外壳：32-SOIC（0.421"，10.70mm 宽）

供应商器件封装：32-SOP

包装：托盘