SUP60N06-12P-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 60V TO220AB
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:60A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1970pF @ 30V
- 功率_最大:3.25W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
SUP60N06-12P-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 60V TO220AB
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:60A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1970pF @ 30V
- 功率_最大:3.25W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 340K OHM 1/8W 0.1% 0805
- 矩形- 接头,公引脚 Sullins Connector Solutions CONN HDR .100" SNGL PCB RA 3POS
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 30V TO-220AB
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR 68UH SMD POWER
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
- PMIC - 稳压器 - 线性 Microchip Technology TO-261-4,TO-261AA IC REG LDO 3.3V .3A SOT223-3
- 逻辑 - 触发器 Toshiba 8-TSSOP,8-MSOP(0.110",2.80mm 宽) IC FLIP-FLOP D-TYPE SM8-8
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 340 OHM 1/8W 0.1% 0805
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR 100UH 310MA SMD
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Toshiba 8-TSSOP,8-MSOP(0.110",2.80mm 宽) IC INVERTER TRIPLE 8-SSOP
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK 8SOIC
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Microchip Technology 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC REG SWITCHD CAP INV ADJ 8MSOP
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR 3.3UH 1.6A SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 34.0K OHM 1/8W 0.1% 0805
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 60V D-S 90A TO220AB