SUD50N03-06AP-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.7 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3800pF @ 15V
- 功率_最大：83W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：带卷 (TR)
SUD50N03-06P-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：84A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3100pF @ 25V
- 功率_最大：88W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：带卷 (TR)
SUD50N03-09P-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：63A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2200pF @ 25V
- 功率_最大：65.2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：带卷 (TR)
SUD50N03-09P-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：63A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2200pF @ 25V
- 功率_最大：65.2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：带卷 (TR)
SUD50N03-11-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：-
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 25A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1130pF @ 25V
- 功率_最大：62.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：带卷 (TR)
SUD50N03-12P-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：-
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V
- 功率_最大：46.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：带卷 (TR)
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Toshiba 8-VFSOP（0.091"，2.30mm 宽） IC INVERTER SCHMITT 8-SSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 274K OHM 1/8W 0.1% 0805
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH D-S 30V TO252
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 51.1K OHM 1/10W 0.1% 0603
- PMIC - 稳压器 - 线性 Microchip Technology SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 3.3V .1A SOT23-5
- 振荡器 TXC CORPORATION 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC MEMS 4.096 MHZ 2.5V SMD
- 矩形- 接头，公引脚 Sullins Connector Solutions 14-DIP CONN HDR 2MM TIN 8POS R/A
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Toshiba 8-SOIC（0.122"，3.10mm 宽） IC GATE OR DUAL 2INPUT 8-SOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 51.1 OHM 1/10W 0.1% 0603
- PMIC - 稳压器 - 线性 Microchip Technology SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 5V .1A SOT23-5
- 振荡器 TXC CORPORATION 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC MEMS 40.000 MHZ 2.5V SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 51.1 OHM 1/10W 0.1% 0603
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Toshiba 8-SOIC（0.122"，3.10mm 宽） IC GATE OR DUAL 2INPUT 8-SOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 52.3 OHM 1/10W 0.1% 0603
- 矩形- 接头，公引脚 Sullins Connector Solutions 14-DIP CONN HDR 2MM TIN 9POS R/A
13510131896 
0755-88917652 
0755-23051326 
0512-67241533 
010-62962871、 
18026926850/0 
0755-83223957 
0755-83747144 
13691818754 
0755-83286481 
13410941925 
0755-82533156 
13528893675 
0755-83244680 
0755-82561519 
0755-83226745 
