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SUD08P06-155L-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 8.4A DPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：450pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）; 包装：剪切带 (CT)

SUD08P06-155L-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 8.4A DPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：450pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）; 包装：带卷 (TR)

SUD08P06-155L-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 8.4A DPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：450pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）; 包装：Digi-Reel®

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陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 4700PF 630V 10% X7R 1206
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TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AA，SMB TVS 600W 15V UNIDIRECT SMBJ