STS4DNFS30 全国供应商、价格、PDF资料
STS4DNFS30详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫欧 @ 2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.7nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
STS4DNFS30详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫欧 @ 2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.7nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
STS4DNFS30详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫欧 @ 2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.7nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
STS4DNFS30L详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫欧 @ 2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
STS4DNFS30L详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫欧 @ 2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
STS4DNFS30L详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫欧 @ 2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
- 二极管，整流器 - 阵列 STMicroelectronics TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA DIODE SCHOTTKY 170V 5A I2PAK
- 矩形 - 外壳 Sullins Connector Solutions 径向 CONN RECEPT 1.25MM 8POS
- FET - 单 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6
- 板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc 868-BGA CONN RCPT .100" 5POS GOLD T/H
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引线 RES 8.45 OHM 2W 1% WW 4124
- TVS - 二极管 ON Semiconductor DO-214AA，SMB TVS ZENER 600W 28V SMB
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
- 矩形 - 外壳 Sullins Connector Solutions 径向 CONN RECEPT 1.25MM 11POS
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引线 RES 976 OHM 2W 1% WW 4124
- TVS - 二极管 ON Semiconductor DO-214AA，SMB TVS ZENER 600W 36V SMB
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK 8SOIC
- 单二极管/整流器 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK
0755-88917652 
755-88608527（ 
755-83950890（ 
0755-22655674 
0755-82533534 
0755-82170267 
010-62962871、 
0755-8322-538 
13410941925 
0755-82533156 
0755-83242658 
13528893675 
0755-83244680 
0755-82561519 
0755-83226745 
