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STB80NF55-06-1详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫欧 @ 40A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：189nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4400pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

STB80NF55-06T4详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫欧 @ 40A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：189nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4400pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

STB80NF55-06T4详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫欧 @ 40A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：189nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4400pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

STB80NF55-06T4详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫欧 @ 40A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：189nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4400pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

STB80NF55-08-1详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 40A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：155nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3850pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

STB80NF55-08T4详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 40A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：155nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3850pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

SJ1-3555NG
套管 - 音频 CUI Inc 6-PowerPair? CONN JACK STEREO R/A 5PIN 3.5MM
STM706PDS6E
PMIC - 监控器 STMicroelectronics 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC SUPERVISOR 5V 4.38V 8-TSSOP
SMCJ130CA
TVS - 二极管 Bourns Inc. DO-214AB，SMC DIODE TVS 130V 1500W BI 5% SMD
STB80NF10T4
FET - 单 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
ST7ETB201
微調器 Copal Electronics Inc TRIMMER 200 OHM 0.25W SMD
SM2615FT3R01
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2615 J 形引线 RES 3.01 OHM 1W 1% WW 2615
STGB8NC60KDT4
IGBT - 单路 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT N-CH 8A 600V D2PAK
SST39VF010-70-4C-WHE
存储器 Microchip Technology 32-TFSOP（0.488"，12.40mm 宽） IC FLASH MPF 1MBIT 70NS 32TSOP
SJ1-42515RS
套管 - 音频 CUI Inc 6-PowerPair? CONN AUDIO JACK 4COND 2.5MM PCB
SMCJ130HE3/9AT
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS 1.5KW UNIDIR 13V 5% SMC
ST7ETB202
微調器 Copal Electronics Inc TRIMMER 2K OHM 0.25W SMD
SM2615FT3R09
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2615 J 形引线 RES 3.09 OHM 1W 1% WW 2615
STGBL6NC60DIT4
IGBT - 单路 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT HYPERFAST 600V 6A D2PAK
SST39VF010-70-4I-B3KE
存储器 Microchip Technology 48-TFBGA IC FLASH MPF 1MBIT 70NS 48TFBGA
SJ1-42515RS-SMT
套管 - 音频 CUI Inc CONN AUDIO JACK 4COND 2.5MM SMD

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