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STB80NF03L-04T4详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫欧 @ 40A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

STB80NF03L-04T4详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫欧 @ 40A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

STB80NF03L-04T4详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫欧 @ 40A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

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矩形- 接头，公引脚 Samtec Inc CONN HEADER 70POS .100" DL GOLD
SN74HC4852QPWRQ1
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Texas Instruments 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC MUX/DEMUX DUAL 4X1 16TSSOP
T95R187M016EZAL
钽 Vishay Sprague 2824（7260 公制） CAP TANT 180UF 16V 20% 2824
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PMIC - 电压基准 STMicroelectronics TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 1.225V SOT23

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