SSM2220 全国供应商、价格、PDF资料

SSM2220PZ详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：IC TRANS PNP AUDIO DUAL 8DIP

系列：-

制造商：Analog Devices Inc

晶体管类型：2 PNP（双）配对

电流_集电极333Ic444（最大）：20mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：36V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：100mV @ 100µA，1mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：-

功率_最大：-

频率_转换：190MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm）

供应商设备封装：8-PDIP

包装：管件

SSM2220S详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：IC TRANS AUDIO DUAL PNP 8SOIC

系列：-

制造商：Analog Devices Inc

晶体管类型：2 PNP（双）配对

电流_集电极333Ic444（最大）：20mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：36V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：100mV @ 100µA，1mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：-

功率_最大：-

频率_转换：190MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOIC

包装：管件

SSM2220SZ详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：IC TRANS AUDIO DUAL PNP 8-SOIC

系列：-

制造商：Analog Devices Inc

晶体管类型：2 PNP（双）配对

电流_集电极333Ic444（最大）：20mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：36V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：100mV @ 100µA，1mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 1mA，36V

功率_最大：-

频率_转换：190MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOIC

包装：管件

SSM2220SZ-REEL详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：IC TRANS AUDIO DUAL PNP 8SOIC

系列：-

制造商：Analog Devices Inc

晶体管类型：2 PNP（双）配对

电流_集电极333Ic444（最大）：20mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：36V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：100mV @ 100µA，1mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：-

功率_最大：-

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOIC

包装：带卷 (TR)