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SPB80N03S2L-06详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.9 毫欧 @ 80A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 80µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：P-TO263-3; 包装：剪切带 (CT)

SPB80N03S2L-06详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.9 毫欧 @ 80A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 80µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：P-TO263-3; 包装：带卷 (TR)

SPB80N03S2L-06 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.9 毫欧 @ 80A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 80µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：P-TO263-3; 包装：带卷 (TR)

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