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SPB80N03S2-03 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫欧 @ 80A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7020pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：PG-TO263-3; 包装：带卷 (TR)

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SPB-3924
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SQCAEM6R8CAJME
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SDS101-PRW2-M50-SN00-1
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RT0603FRE0756R2L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 56.2 OHM 1/10W 1% SMD 0603
SN74SSQEC32882ZALR
逻辑 - 专用逻辑 Texas Instruments 176-TFBGA IC REGSTR BUFF 28-56BIT 176NFBGA
SR072A560KAATR2
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 56PF 200V 10% RADIAL
SQCAEM6R8CATME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 6.8PF 150V 0605
SFH 4715S
红外发射器，UV 发射器 OSRAM Opto Semiconductors Inc 2-SMD，无引线，裸露焊盘 OSLON BLACK SERIES IR LED
SDS103-PRW2-F09-SN10-131
D-Sub Sullins Connector Solutions CONN D-SUB RCPT 9POS IDC GOLD