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SP8M51TB1详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 100V SOP8; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A，2.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP; 包装：Digi-Reel®

SP8M51TB1详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 100V SOP8; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A，2.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP; 包装：带卷 (TR)

SP8M51TB1详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 100V SOP8; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A，2.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP; 包装：剪切带 (CT)

SP8M5FU6TB详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A，7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.1nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SP8M5TB详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N+P 30V 6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A，7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.2nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SP8M5TB详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N+P 30V 6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A，7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.2nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SA101C332KAA
陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 3300PF 100V 10% AXIAL
SCRH124-330
固定式 Signal Transformer 非标准 INDUCTOR SMD 33UH 2.70A 100KHZ
SP8M10FU6TB
FET - 阵列 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
SMCG8.0CAHE3/9AT
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-215AB，SMC 鸥翼型 TVS 1.5KW BIDIR 8.0V 5% SMC
SA12CHE3/54
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-204AC，DO-15，轴向 TVS BIDIR 500W 12V 10% AXIAL
MRFG35002N6R5
RF FET Freescale Semiconductor PLD-1.5 TRANSISTOR RF 1.5W 6V POWER FET
MS27466T19F11PA
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 11POS FLANGE W/PINS
SMCJ150A-TP
TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AB，SMC TVS 1500W 150V UNIDIRECT SMC
SA101C332MAC
陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 3300PF 100V 20% AXIAL
SMCG8.5AHE3/9AT
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-215AB，SMC 鸥翼型 TVS 1.5KW UNIDIR 8.5V 5% SMC
SA130A
TVS - 二极管 Fairchild Semiconductor DO-204AC，DO-15，轴向 TVS UNIDIRECT 500W 130V DO-15
MRFG35003ANR5
RF FET Freescale Semiconductor PLD-1.5 TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5
MS27466T19F11PA-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 11POS PIN
SMCJ150CA-TP
TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AB，SMC TVS 1500W 150V BIDIRECT SMC
SCRH124-470
固定式 Signal Transformer 非标准 INDUCTOR SMD 47UH 1.90A 100KHZ

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