SIB413DK-T1-GE3 全国供应商、价格、PDF资料

SIB413DK-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 6.5A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.63nC @ 5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：357pF @ 10V

功率_最大：13W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L

供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 单

包装：Digi-Reel®

SIB413DK-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 6.5A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.63nC @ 5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：357pF @ 10V

功率_最大：13W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L

供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 单

包装：带卷 (TR)

SIB413DK-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 6.5A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.63nC @ 5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：357pF @ 10V

功率_最大：13W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L

供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 单

包装：剪切带 (CT)