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SI7682DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1595pF @ 15V; 功率_最大：27.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

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SI7674DP-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
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陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 1800PF 1.5KV 5% X7R 1808
VJ1812A681JBBAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1812（4532 公制） CAP CER 680PF 100V 5% NP0 1812
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RF 评估和开发套件，板 Skyworks Solutions Inc 16-VQFN 裸露焊盘 RF EVAL FOR SKY67105-306LF
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DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 150W