SI7540DP-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：N 和 P 沟道
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.6A，5.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫欧 @ 11.8A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.4W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
- 包装：剪切带 (CT)
SI7540DP-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：N 和 P 沟道
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.6A，5.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫欧 @ 11.8A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.4W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
- 包装：带卷 (TR)
SI7540DP-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：N 和 P 沟道
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.6A，5.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫欧 @ 11.8A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.4W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
- 包装：Digi-Reel®
SI7540DP-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N/P-CH 12V PPAK 8-SOIC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：N 和 P 沟道
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.6A，5.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫欧 @ 11.8A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.4W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
- 包装：剪切带 (CT)
SI7540DP-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N/P-CH 12V PPAK 8-SOIC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：N 和 P 沟道
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.6A，5.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫欧 @ 11.8A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.4W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
- 包装：带卷 (TR)
SI7540DP-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N/P-CH 12V PPAK 8-SOIC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：N 和 P 沟道
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.6A，5.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫欧 @ 11.8A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.4W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
- 包装：Digi-Reel®
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 225MW 12V SOT-23-3
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引线 RES 0.787 OHM 2W 1% WW 4124
- FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N/P-CH 30V PPAK 1212-8
- 螺线形绕线，伸缩套管 Techflex 868-BGA 3/8" STAINLESS STEEL XC 100’
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-75-6L MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 STMicroelectronics 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC DRVR/RCVR 5.5V RS232 16-SOIC
- 软件 Altera 模块 QUARTUS II ANNUAL SUBSCRIPTION
- 单二极管/整流器 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB DIODE TURBO 12A 600V D2PAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引线 RES 0.887 OHM 2W 1% WW 4124
- 螺线形绕线，伸缩套管 Techflex 1/2" STAINLESS STEEL XC 50’
- FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-75-6L 双 MOSFET P-CH 20V PWRPAK SC75-6
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 STMicroelectronics 28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） TXRX ESD PROT 5.5V RS232 28-SSOP
- 单二极管/整流器 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 DIODE TURBO 3A 600V DPAK
- 矩形- 接头，公引脚 Sullins Connector Solutions CONN HDR 1.25MM TIN 4POS SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引线 RES 120 OHM 2W 5% WW 4124
0755-82561519 
13410941925 
0755-83242658 
13510131896 
0755-82561519 
0755-18503085 
0755-23919407 
0755-82524712 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
0755-82574045 
0755- 8255602 
0755-83015506 
