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SI7489DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫欧 @ 7.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4600pF @ 50V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7489DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫欧 @ 7.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4600pF @ 50V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7489DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫欧 @ 7.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4600pF @ 50V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SI7489DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫欧 @ 7.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4600pF @ 50V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7489DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫欧 @ 7.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4600pF @ 50V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7489DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫欧 @ 7.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4600pF @ 50V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

RYM18DTKS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD
RT1206DRE0766K5L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 66.5K OHM 1/4W .5% SMD 1206
SI3216M-FT
接口 - 电信 Silicon Laboratories Inc 38-TFSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC SLIC/CODEC 1CH 38TSSOP
SI7489DP-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC
SMAJ14A-13-F
TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AC，SMA TVS UNIDIRECT 14V 400W SMA
SST 1.5
保险丝 Bel Fuse Inc 2-SMD，方形端块 FUSE 1.5A 125V 6125 SLOW SST
SI4511DY-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-SOIC
RYM22DRMD-S273
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS .156 SQ WW
RT1206DRE07680KL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 680K OHM 1/4W .5% SMD 1206
SI3216MPPT1-EVB
过时/停产零件编号 Silicon Laboratories Inc BOARD EVAL W/SI3201 INTERFACE
SST 3
保险丝 Bel Fuse Inc 2-SMD，方形端块 FUSE 3A 125V 6125 SLOW SST
SMAJ14A-E3/61
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIRECT 400W 14V 5% SMA
RT1206DRE0768K1L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 68.1K OHM 1/4W .5% SMD 1206
SI4539ADY-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
RYM22DRMN-S273
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS .156 SQ WW

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