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SI7469DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 80V 28A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：80V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 10.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 40V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SI7469DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 80V 28A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：80V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 10.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 40V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7469DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 80V 28A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：80V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 10.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 40V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7469DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 80V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：80V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 10.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 40V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SI7469DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 80V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：80V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 10.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 40V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7469DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 80V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：80V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 10.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 40V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

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SQCAEM101FA1ME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 100PF 150V 1% 0605
SR151A6R8DAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 6.8PF 100V RADIAL
RT0805CRD07953KL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 953K OHM 1/8W .25% SMD 0805
SI4684DY-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SHIELD-EKG-EMG-PA
配件 Olimex LTD PASSIVE ELECTRODE FOR SHIELD
RTMN-5060
线路滤波器 TDK-Lambda Americas Inc - EMI FILTER 500VAC 60A SCREW TERM
SR151A820GAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 82PF 100V 2% RADIAL
SQCAEM101JAJME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 100PF 150V 5% 0605
RT0805CRD0795R3L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 95.3 OHM 1/8W .25% SMD 0805
SI4684DY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SHIELD-EKG-EMG-PA
配件 Olimex LTD PASSIVE ELECTRODE FOR SHIELD
SR151A820JAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 82PF 100V 5% RADIAL