

SI7465DP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:64 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:Digi-Reel®
SI7465DP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.2A
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- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:剪切带 (CT)
SI7465DP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:64 毫欧 @ 5A,10V
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- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7465DP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:64 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 10V
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- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7465DP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:64 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:剪切带 (CT)
SI7465DP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:64 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:Digi-Reel®
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 150W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 10V 50W
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1808(4520 公制) CAP CER 10000PF 630V X7R 1808
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 50W
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 100W
- RF 放大器 Skyworks Solutions Inc 8-TFDFN 裸露焊盘 IC AMP LO-NOISE 0.7-1.2GHZ 8-QFN
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 10V 50W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 50W
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1812(4532 公制) CAP CER 560PF 50V 5% NP0 1812
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 50W
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1808(4520 公制) CAP CER 10000PF 1KV 10% X7R 1808