SI7463DP-T1-E3 全国供应商、价格、PDF资料

SI7463DP-T1-E3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：40V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫欧 @ 18.6A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.9W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? SO-8

供应商设备封装：PowerPAK? SO-8

包装：带卷 (TR)

SI7463DP-T1-E3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：40V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫欧 @ 18.6A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.9W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? SO-8

供应商设备封装：PowerPAK? SO-8

包装：剪切带 (CT)

SI7463DP-T1-E3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：40V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫欧 @ 18.6A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.9W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? SO-8

供应商设备封装：PowerPAK? SO-8

包装：Digi-Reel®