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SI7439DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 150V 3A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 5.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7439DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 150V 3A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 5.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7439DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 150V 3A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 5.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

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SI4636DY-T1-GE3
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SR151A561JAATR-I
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 560PF 100V 5% RADIAL
SHG14000
支架 - 热管理 Hammond Manufacturing FAN HEATER 15W 1.5A 2.6"
RTM-0505S
DC DC Converters Recom Power - CONVERTER DC/DC 5VIN 5VOUT 2W
RT0402DRD071K05L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402（1005 公制） RES 1.05K OHM 1/16W .5% SMD 0402